收藏本站
MR25H256
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Table 3.2 Operating Conditions
Symbol
V DD
V IH
V IL
T A
Parameter
Power supply voltage
Input high voltage
Input low voltage
Temperature under bias
Grade
Industrial
AEC-Q100 Grade1
All
All
Industrial
AEC-Q100 Grade 1 1
Min
2.7
3.0
2.2
-0.5
-40
-40
Typical
-
-
-
-
-
-
Max
3.6
3.6
V DD + 0.3
0.8
85
125
Unit
V
V
V
V
°C
°C
1
AEC-Q100 Grade 1 temperature profile assumes 10 percent duty cycle at maximum temperature (2 years
out of 20-year life.)
Table 3.3 DC Characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typical
Max
Unit
I LI
I LO
V OL
V OH
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
Output high voltage
All
All
I OL = +4 mA
I OL = +100 μA
I OH = -4 mA
I OH = -100 μA
-
-
-
-
2.4
V DD - 0.2
-
-
-
-
-
-
±1
±1
0.4
V SS + 0.2v
-
-
μA
μA
V
V
V
V
Table 3.4 Power Supply Characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Typical
Max
Unit
I DDR
I DDW
I SB
I ZZ
Active Read Current
Active Write Current
Standby Current
Standby Sleep Mode Current
@ 1 MHz
@ 40 MHz
@ 1 MHz
@ 40 MHz
CS High 1
CS High
2.5
6
8
23
90
7
3
10
13
27
115
30
mA
mA
mA
mA
μA
μA
1
I SB current is specified with CS high and the SPI bus inactive.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
11
MR25H256 Rev. 9, 4/2013
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MR25H40CDF IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN
MR2A08AMYS35R IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP
MR2A16ATS35CR IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP
MR2A16AVMA35R IC MRAM 4MBIT 35NS 48BGA
MR4A08BCYS35R IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP
MRJ-5385-01 CONN RCPT 8POS 2GRN 1PORT PCB
MRJ548501 CONN MOD JACK 8P8C R/A GRN/GRN
MSC8122ADSE KIT ADVANCED DEV SYSTEM 8122
相关代理商/技术参数
MR25H256CDFR 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256MDC 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256MDCR 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256MDF 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H256MDFR 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H40CDC 功能描述:NVRAM 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H40CDCR 功能描述:NVRAM 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR25H40CDF 功能描述:NVRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube